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J-GLOBAL ID：201502244404459550   整理番号：15A0451266

単一層MoS₂における歪誘起磁性:起源と操作

Strain-Induced Magnetism in Single-Layer MoS₂: Origin and Manipulation

著者 (2件)： YUN Won Seok (DGIST, Daegu, KOR) ,  LEE J. D. (DGIST, Daegu, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 5  ページ： 2822-2827  発行年： 2015年02月05日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一原子空孔欠陥を有する単一層(1L)MoS₂における引張り歪誘起磁性が提案されている。ここでは,等二軸または一軸歪のもとで種々の型の空孔欠陥を有する1L MoS₂に関する大規模な電子物性と磁気的性質を調べるため第一原理計算を行った。空孔欠陥1L MoS₂のスパーセル計算に関する非折畳みバンド構造を発掘して,歪誘起磁性と随伴する金属性質がギャップ内側の不純物バンドによって制御されることを明らかにした。更に,1L MoS₂が~14%引張り歪みでスパーセルあたり予期せぬ7.45μ_Bに至るまでの大きなスピン磁気モーメントを示し,また結晶磁気異方性の変化から~13%歪での面外から面内磁化へのスピン再配向を示すことを見いだした。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *単一層 ,  *空孔欠陥 ,  物理的性質 ,  歪 ,  引張 ,  強磁性 ,  金属性 ,  バンド構造 ,  不純物準位 ,  磁気モーメント ,  スピン再配列 ,  磁化 ,  スピントロニクス ,  ab initio法 ,  第一原理 ,  デコンボリューション ,  磁気異方性 ,  密度汎関数法 ,  基底関数系 ,  状態密度
準シソーラス用語： スピン再配向 ,  引張歪 ,  結晶磁気異方性 ,  第一原理計算 ,  電子バンド構造 ,  電子物性 ,  非折畳み ,  不純物バンド ,  密度汎関数理論計算 ,  面内磁化 ,  一軸歪 ,  二軸ひずみ ,  二硫化モリブデン

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単一層 ,  MoS2 ,  誘起 ,  磁性 ,  起源