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J-GLOBAL ID：201502244648634221   整理番号：15A0247542

新しいナノ構造のCuIn_0.7Ga_0.3(Se_0.4Te_0.6)₂/SLGの多成分化合物薄膜:光起電力応用

A novel nanostructured CuIn_0.7Ga_0.3(Se_0.4Te_0.6)₂/SLG multinary compounds thin films: For photovoltaic applications

著者 (6件)： FIAT Varol Songuel (Giresun Univ., Fac. of Engineering, Energy Systems Engineering, 28200, Giresun, TURKIYE) ,  BACAKSIZ Emin (Karadeniz Technical Univ., Fac. of Arts and Sciences, Physics Dep., 61100 Trabzon, TUERKIYE) ,  KORALLI Panagiota (National Technical Univ. of Athens, School of Mechanical Engineering, 9, Iroon Polytechniou, Zografu, 15780 Athens, GRC) ,  KORALLI Panagiota (National Hellenic Res. Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Inst., 11635 Athens, GREECE) ,  KOMPITSAS Michael (National Hellenic Res. Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Inst., 11635 Athens, GREECE) ,  CANKAYA Gueven (Yildirim Beyazit Univ., Fac. of Engineering and Natural Sciences, Materials Engineering, 06030 Ankara, TUERKIYE)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 142  ページ： 273-276  発行年： 2015年03月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜技術での更なる進歩には黄銅鉱構造の調査が重要である。この研究では焼鈍効果についてのCuIn_0.7Ga_0.3(Se_0.4Te_0.6)₂(CIGSeTe)多成分系化合物薄膜の光学,電気,表面の特性の調査結果を報告した。開発された手順は,炭素被覆石英アンプル中での高純度元素Cu,In,Ga,Se,およびTeのプレ反応および薄膜堆積のための電子ビーム蒸発を含む2段法である。定義された比率ですべての元素を含んだCuInGaSeTeのような多成分系の吸収体層の入手が可能性になり,これによって薄膜形成温度の低下の機会,およびその結果として製造コストの減少の機会が与えられた。この局面は実用的で新しい傾向の太陽電池材料として,これらの材料を評価するためのすばらしい動機であった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *多成分系 ,  *セレン化物 ,  *テルル化物 ,  *銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  ナノ構造 ,  *電子ビーム蒸着 ,  基板 ,  ソーダ石灰ガラス ,  熱処理 ,  吸収体 ,  純度 ,  元素 ,  *光起電力
準シソーラス用語： アニール効果 ,  高純度 ,  電子ビーム蒸発

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ構造 ,  化合物薄膜 ,  光起電力 ,  応用