文献

J-GLOBAL ID：201502245307575398   整理番号：15A0490789

ランダム成長によるパターン化カーボンナノチューブ電界エミッタアレイからの高電界放出電流密度

High Field Emission Current Density from Patterned Carbon Nanotube Field Emitter Arrays with Random Growth

著者 (8件)： KHANEJA Mamta (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  GHOSH Santanu (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  GAUTAM Seema (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  KUMAR Prashant (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  RAWAT J. S. (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  CHAUDHURY P. K. (Solid State Physics Lab., Delhi, IND) ,  VANKAR V. D. (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  KUMAR Vikram (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 15  号： 5  ページ： 3846-3851  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィーでパターン化したシリコン基板に成長したカーボンナノチューブ(CNT)アレイからの高電界放出電流密度について報告した。典型的なパターン化電界エミッタアレイは全放出領域に拡がる固定ギャップで分離されたナノチューブ束から成る。それぞれのバンドル内でランダムに配向したナノチューブ成長をもつこのようなアレイからの放出性能を異なるバンドルサイズとバンドル間隔に対して調べた。バンドル内で配向したCNTをもつ1つの典型的試料も比較のために調べた。電界放出測定から,パターン化ランダム成長ナノチューブから作られたカソードは配向MWCNTよりも高い放出電流密度を呈することが分かった。

シソーラス用語： 電流密度 ,  カソード ,  *電界放出アレイ ,  *電界放出 ,  Ramanスペクトル ,  画像 ,  電子顕微鏡観察 ,  *多層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： SEM画像

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  パターン化 ,  カーボンナノチューブ ,  電界エミッタアレイ ,  電界放出 ,  電流密度