文献

J-GLOBAL ID：201502245531452684   整理番号：15A0431698

Cu/Ta₂O₅/Pt抵抗スイッチの界面構造:第一原理研究

Interface Structure in Cu/Ta₂O₅/Pt Resistance Switch: A First-Principles Study

著者 (2件)： XIAO Bo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  WATANABE Satoshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 1  ページ： 519-525  発行年： 2015年01月14日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VASPを使った計算により,Cu/Ta₂O₅/Pt抵抗スイッチの界面構造を調べた。OリッチCu/Ta₂O₅界面は広範囲のO化学ポテンシャルで安定と分った。この界面では,相当の数のCu原子が非晶質Ta₂O₅層へ向かって移動し,Cu₂O層が形成されることを示した。界面O濃度あるいは温度が高くなると,界面Cuはイオン化し易くなる。イオン化したCu⁺はCu/非晶質Ta₂お₅/Pt抵抗スイッチに伝導フィラメントが形成される原因となることを示した。Cu/結晶性Ta₂O₅界面では界面Cuはイオン化しない。Pt電極もイオン化しない。Pt/Ta₂O₅における界面O空格子点の形成はエネルギー論的に安定である。

シソーラス用語： *銅 ,  *酸化タンタル ,  *白金 ,  スイッチング ,  プログラムパッケージ ,  非晶質 ,  酸化第一銅 ,  フィラメント ,  空格子点 ,  MIM構造
準シソーラス用語： VASP【計算機プログラム】 ,  抵抗スイッチ ,  *抵抗スイッチング ,  *導電性フィラメント

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Ta2O5 ,  Pt ,  界面構造 ,  第一原理 ,  研究