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J-GLOBAL ID：201502245847237629   整理番号：15A0502297

等温閉空間昇華法により成長した傾斜組成Cd_xZn_1-xTe膜

Graded composition Cd _x Zn_1- Te films grown by Isothermal Close Space Sublimation technique

著者 (10件)： DE Melo O. (Univ. of Havana, 10400 La Habana, Cuba) ,  DOMINGUEZ A. (Univ. of Havana, 10400 La Habana, Cuba) ,  GUTIERREZ Z-B K. (Univ. of Havana, 10400 La Habana, Cuba) ,  CONTRERAS-PUENTE G. (Escuela Superior de Fisica y Matematicas, IPN, U. P. ALM., 07738 Mexico DF, MEX) ,  GALLARDO-HERNANDEZ S. (Seccion de Electronica del Estado Solido, Departamento de Ingenieria Electrica, CINVESTAV, IPN, MEX) ,  ESCOBOSA A. (Seccion de Electronica del Estado Solido, Departamento de Ingenieria Electrica, CINVESTAV, IPN, MEX) ,  GONZALEZ J.C. (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, BRA) ,  PANIAGO R. (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, BRA) ,  FERRAZ Dias J. (Ion Implantation Lab., Physics Inst., Federal Univ. of Rio Grande do Sul, CP 15051, CEP 91501-970 Porto Alegre, RS, BRA) ,  BEHAR M. (Ion Implantation Lab., Physics Inst., Federal Univ. of Rio Grande do Sul, CP 15051, CEP 91501-970 Porto Alegre, RS, BRA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 138  ページ： 17-21  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 等温閉空間昇華技術によるCdTeとZnTeのいくつかの交互層を成長させることにより,傾斜組成Cd_xZn_1-xTe膜を形成した。膜の表面に向かって,CdTeの平均濃度の増加を生成する構造に沿って,CdTeとZnTe両層の膜厚を変更した。成長プロセス中のZn/Cdの相互拡散により,一連の層は,比較的滑らかな傾斜組成膜に変換した。X線回折の特性により,層は,(100)配向したGaAs基板に整合して成長したが,比較的高いモザイク状であることを示した。θ-2θプロットは,可変組成試料から予想される様な非常に広い回折ピークを示していた。透明基板を用いた透過測定により,光吸収におけるバンドギャップ格子効果を確認した。X線光電子及び二次イオン質量分光法により,薄膜の組成傾斜プロファイルを確認した。また,試料のRutherford後方散乱スペクトルを分析することにより,Cd,Zn,及びTeの定量的プロファイルを得た。この分析は,試料表面でX=0.8及び基板との界面でx=0.35程度の範囲のCdTeモル分率のプロファイルを示した。簡単でコスト効率の良い方法を使用して,傾斜組成層を成長することの可能性を実証した。著者等は,この結果が,CdS/CdTe太陽電池における可変組成のCd_xZn_1-xTe 層の様な技術的応用において重要であることを示唆した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *昇華 ,  気相成長 ,  *傾斜機能材料 ,  *化学組成 ,  *テルル化物 ,  *カドミウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *半導体薄膜 ,  膜厚 ,  テルル化カドミウム ,  テルル化亜鉛 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル ,  Rutherford後方散乱 ,  太陽電池
準シソーラス用語： 二次イオン質量分光法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 閉空間 ,  昇華 ,  成長 ,  傾斜組成