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J-GLOBAL ID：201502246550948212   整理番号：15A0745756

ルチルTiO₂(110)面からバルクへの酸素格子間注入に対するモデル

Model for Oxygen Interstitial Injection from the Rutile TiO₂(110) Surface into the Bulk

著者 (4件)： PANGAN-OKIMOTO Kristine M. (Univ. Illinois, Illinois, USA) ,  GORAI Prashun (Univ. Illinois, Illinois, USA) ,  HOLLISTER Alice G. (Univ. Illinois, Illinois, USA) ,  SEEBAUER Edmund G. (Univ. Illinois, Illinois, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 18  ページ： 9955-9965  発行年： 2015年05月07日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥挙動を操作するため結晶格子と酸素格子間欠陥(O_i)の相互作用に対する一層一般的ミクロ動力学モデルの脈絡でN型半導体ルチルTiO₂(110)面と反応するO_iに対する素過程の速度式を開発した。点欠陥濃度がバルク中または表面のいずれでも直接監視することが困難なのでこのようミクロ動力学モデルは典型的に必要である。在来型表面化学では,気体と液体組成は一層容易に測定(しばしば実時間で)できる。多くの事例で,適切な光学,電子及びイオンに基づく技法により表面吸着質を直接検出できる。点欠陥について,濃度,空間分布及び運動は欠陥の運動と反応の装いを複製できる数学モデルと一緒に痕跡元素または同位体のSIMSのような技法による間接測定を通し参照されるべきである。TiO₂のO_i事例では,モデルは連続微分方程式に組込まれた速度論と熱力学パラメータが重みづけ二乗誤差和に基づく繰り返し大域最適化法と一緒に同位体自己拡散実験から決定される系として表現されている。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  ルチル型結晶 ,  ファセット ,  結晶面 ,  N型半導体 ,  *格子間原子 ,  酸素吹込 ,  点欠陥 ,  *空格子点 ,  固体内拡散 ,  結晶格子 ,  力学モデル ,  吸着平衡 ,  *表面反応 ,  濃度分布 ,  空間分布 ,  痕跡量成分 ,  二次イオン質量分析 ,  微分方程式 ,  パラメータ ,  熱力学的性質 ,  最適化 ,  界面化学 ,  生成熱 ,  自己拡散 ,  ホッピング伝導 ,  素反応 ,  レート方程式 ,  数学モデル ,  重みづけ ,  同位体交換 ,  ポテンシャル障壁 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： SIMS【質量分析】 ,  ホッピング ,  活性化障壁 ,  吸着質 ,  酸素欠陥 ,  酸素注入 ,  生成エンタルピー ,  素過程 ,  速度式 ,  速度論パラメータ ,  動力学モデル ,  熱力学パラメータ ,  反応拡散モデル ,  表面化学 ,  表面吸着

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： ルチル ,  TiO2 ,  バルク ,  酸素 ,  格子 ,  注入 ,  モデル