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J-GLOBAL ID：201502246609877373   整理番号：15A0500589

回路の出力電流リンギング減衰を用いたパワーMOSFET接合温度の感知

Sensing Power MOSFET Junction Temperature Using Circuit Output Current Ringing Decay

著者 (2件)： NIU He (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  LORENZ Robert D. (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)
資料名： IEEE Transactions on Industry Applications  (IEEE Transactions on Industry Applications)
巻： 51  号： 2  ページ： 1763-1773  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： A0338B  ISSN： 0093-9994  CODEN： ITIACR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,リンギング(RG)過渡減衰に影響する,MOSFETと回路システムの動的モデリングを提供した。”ゲート駆動オン状態抵抗(R_DS-on)-LーC”RGの特性を同定し,そして開発したパラメータモデルをRG減衰からR_DS-onを推定するのに適したモデルを形成するのに用いた。二次システム過渡応答を,RGを適合させるため使用出来た。パワーMOSFETの実験接合温度推定をパラメータ感度解析により提供した。本稿の主な貢献を下記した。1)負荷パラメータに低感度の”ゲート駆動R_DS-on-LーC”共振RG減衰に基づき実時間パワーMOSFET接合温度感知のための非侵襲法を確立した。 2)”ゲート駆動R_DS-on-LーC”共振RGを抽出し,負荷電流をフィルタするため移動平均法を適用し,そしてRG減衰時定数の推定のピーク検出法を実装した。3)”ゲート駆動R_DS-on-LーC”RG減衰方法論の接合温度推定精度特性を評価した。

シソーラス用語： *信号現象 ,  *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  *温度 ,  検出 ,  減衰 ,  モデリング ,  確率モデル ,  過渡応答 ,  感度解析 ,  移動平均法 ,  時定数
準シソーラス用語： オン状態 ,  パラメータモデル ,  *パワーMOSFET ,  *リンギング ,  *接合温度 ,  動的モデリング ,  非侵襲

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 出力電流 ,  リンギング ,  減衰 ,  パワーMOSFET ,  接合温度 ,  感知