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J-GLOBAL ID：201502247512996528   整理番号：15A0723105

動的アニーリングのin operando観測:ゲルマニウムナノワイヤ素子中のホウ素の事例研究

In operandi observation of dynamic annealing: A case study of boron in germanium nanowire devices

著者 (6件)： KOLESNIK-GRAY Maria M. (Dep. of Physics, Chair for Applied Physics, Friedrich-Alexander Univ. Erlangen-Nuernberg (FAU), Staudtstr. 7, 91058 ...) ,  SORGER Christian (Dep. of Physics, Chair for Applied Physics, Friedrich-Alexander Univ. Erlangen-Nuernberg (FAU), Staudtstr. 7, 91058 ...) ,  BISWAS Subhajit (Materials Chemistry and Analysis Group, Dep. of Chemistry, Tyndall Inst., Univ. Coll. Cork, Cork, Ireland) ,  HOLMES Justin D. (Materials Chemistry and Analysis Group, Dep. of Chemistry, Tyndall Inst., Univ. Coll. Cork, Cork, Ireland) ,  WEBER Heiko B. (Dep. of Physics, Chair for Applied Physics, Friedrich-Alexander Univ. Erlangen-Nuernberg (FAU), Staudtstr. 7, 91058 ...) ,  KRSTIC Vojislav (Dep. of Physics, Chair for Applied Physics, Friedrich-Alexander Univ. Erlangen-Nuernberg (FAU), Staudtstr. 7, 91058 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 23  ページ： 233109-233109-4  発行年： 2015年06月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ナノワイヤ ,  ドーピング ,  *ホウ素 ,  *イオン注入 ,  直径 ,  電気抵抗率 ,  焼なまし ,  接触抵抗
準シソーラス用語： アニーリング

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： アニーリング ,  観測 ,  ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  ホウ素 ,  研究