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J-GLOBAL ID：201502248005015031   整理番号：15A0589213

電気的帯域溶融後におけるシリコンウエハの少数キャリア寿命の劣化

Minority lifetime degradation of silicon wafers after electric zone melting

著者 (3件)： WU M.C. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan, TWN) ,  YANG C.F. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan, TWN) ,  LAN C.W. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan, TWN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 420  ページ： 74-79  発行年： 2015年06月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 汚染がない単純プロセスの電気的帯域溶融後における,単結晶と多結晶のシリコンウエハの少数キャリア寿命の低下を調査した。熱応力で誘起した転位は劣化の原因であったが,粒子径も重要な役割を果たしていた。粒子径が減少すると,劣化が少ないので,粒界が熱応力の緩和を支援しているものと考えられる。さらに,寿命マッピング,エッチピット密度およびフォトルミネッセンスマッピングも用いて,帯域溶融後の電気的に活性な欠陥を調査した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゾーン融解 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  *寿命 ,  転位【結晶】 ,  *粒径 ,  結晶粒界 ,  熱応力 ,  *応力緩和 ,  エッチピット ,  *光ルミネセンス ,  欠陥 ,  単結晶
準シソーラス用語： 帯域溶融法 ,  *少数キャリア寿命 ,  粒界

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 帯域溶融 ,  シリコンウエハ ,  少数キャリア寿命