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J-GLOBAL ID：201502248319126520   整理番号：15A0609744

TiN/HfZrO/SiON/Siゲートスタックにおける酸素空格子点欠陥に及ぼすサイクリックプラズマ処理の影響

Impact of cyclic plasma treatment on oxygen vacancy defects in TiN/HfZrO/SiON/Si gate stacks

著者 (9件)： BHUYIAN Md Nasir Uddin (Dep. of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Inst. of Technol., Newark, New Jersey 07102, USA) ,  PODDAR S. (Dep. of Electronics and Communication Engineering, Heritage Inst. of Technol., Kolkata, IND) ,  MISRA D. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Inst. of Technol., Newark, New Jersey 07102, USA) ,  TAPILY K. (TEL Technol. Center, America, LLC, NanoFab 300 South 255 Fuller Road, Suite 244, Albany, New York 12203, USA) ,  CLARK R. D. (TEL Technol. Center, America, LLC, NanoFab 300 South 255 Fuller Road, Suite 244, Albany, New York 12203, USA) ,  CONSIGLIO S. (TEL Technol. Center, America, LLC, NanoFab 300 South 255 Fuller Road, Suite 244, Albany, New York 12203, USA) ,  WAJDA C. S. (TEL Technol. Center, America, LLC, NanoFab 300 South 255 Fuller Road, Suite 244, Albany, New York 12203, USA) ,  NAKAMURA G. (TEL Technol. Center, America, LLC, NanoFab 300 South 255 Fuller Road, Suite 244, Albany, New York 12203, USA) ,  LEUSINK G. J. (TEL Technol. Center, America, LLC, NanoFab 300 South 255 Fuller Road, Suite 244, Albany, New York 12203, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 19  ページ： 193508-193508-4  発行年： 2015年05月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *ジルコニウム ,  *添加 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  絶縁膜 ,  *空格子点 ,  欠陥 ,  *プラズマ処理 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  窒化チタン ,  酸窒化ケイ素 ,  *酸素空格子点

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiN ,  SiON ,  Si ,  ゲートスタック ,  酸素空格子点 ,  欠陥