二重周波数容量結合プラズマのSiO<sub>2</sub>エッチング特性におよぼすソース周波数とパルス化の影響

KIM Hoe Jun; JEON Min Hwan; MISHRA Anurag Kumar; KIM In Jun; SIN Tae Ho; YEOM Geun Young

文献

J-GLOBAL ID：201502248371865323 整理番号：15A0533057

二重周波数容量結合プラズマのSiO₂エッチング特性におよぼすソース周波数とパルス化の影響

Effect of source frequency and pulsing on the SiO₂ etching characteristics of dual-frequency capacitive coupled plasma

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資料名：
巻： 54 号： 1S ページ： 01AE07.1-01AE07.6 発行年： 2015年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

アモルファスカーボン層(ACL)を使ってマスクされたSiO₂層を,可変周波数(13.56~60 MHz)/パルス化RFソース出力と2MHzの連続波(CW)RFバイアス出力下において,二重周波数容量結合プラズマを使って,Ar/C₄F₈混合ガス内でエッチングし,ソースRF出力の周波数とパルス化がSiO₂エッチング特性におよぼす影響を調べた。RF出力をパルス化することにより,SiO₂のエッチ速度が減少するとともに,SiO₂のエッチ選択性が増大した。しかしながら,RF出力周波数を増すと,CWとパルスモードの両モードに対して,SiO₂のエッチ速度が高くなるだけでなく,SiO₂のエッチ選択性も高くなった。ソース周波数が高いモードとパルスプラズマモードに対しては,CF₂/F比は大きくなり,電子温度は低くなった。したがって,X線光電子分光(XPS)を使ってエッチングされたSiO₂表面のCの1s結合状態を調べた場合,ソース周波数が高い運転に対して,パルスプラズマ条件と同様にSiO₂表面上のC-F_x結合の増加が観測された。このことは,ACL全体にわたってSiO₂のエッチ選択性も高くなったことを意味している。高いソース周波数運転に対して,SiO₂のエッチ選択性の増大とともにSiO₂のエッチ速度の増加が起こることは,プラズマ中のCF₂/F比の増大とともに,全プラズマ密度が増大することと関係していると考えられる。パルスプラズマの使用だけでなく,ソース周波数を増すことによって,SiO₂のエッチプロファイルも改善される。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (17件)：

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