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J-GLOBAL ID：201502249494844769   整理番号：15A0321647

Si(100)表面への O₂ 吸着における立体効果

Stereodynamics in O₂ Adsorption on Si(100)

著者 (2件)： 倉橋光紀 (独立行政法人物質・材料研究機構 極限計測ユニット) ,  山内泰 (独立行政法人物質・材料研究機構 極限計測ユニット)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 58  号： 1  ページ： 13-19 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(100)初期酸化過程は,Si熱酸化によるゲート絶縁膜生成過程の理解を目的として詳細に研究されてきた.しかし,Si酸化の第一ステップであるO2分子の解離吸着に関しては,未だ良く理解されていない部分がある.本報告では,超音速酸素分子線と六極磁子を用い,単一スピン・回転状態[(J,M)=(2,2)]選別O₂ビームを生成することにより,磁場制御による表面反応立体効果を精密に解析し,これに基づくS(100)表面酸化過程の解析について紹介する。その解析により,直接解離によるO₂吸着は分子軸が表面平行に近い場合にのみ起きることを示した.解離確率は表面に対するO₂分子軸の方位角にも依存し,軸がダイマーに対して垂直の分子の方が平行の分子よりも40%程度高いことが分かった.このように単一量子状態選別O2分子ビームは,立体効果の精密解析のみならず,反応ダイナミクス研究に高いポテンシャルを有し,今後,多くの酸化過程の解析,反応制御等への応用が期待される。

シソーラス用語： *結晶方位 ,  *酸化 ,  *超音速分子ビーム ,  反応速度論 ,  反応制御
準シソーラス用語： *Si(100) ,  反応ダイナミクス ,  表面酸化

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  酸化,還元  (CF02060T) ,  原子ビーム,分子ビーム  (BH01020Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  O2 ,  吸着 ,  立体効果