反応性RFスパッタリングにより調製されたa-In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N膜における熱アニーリングの影響

SUZUKI Toshimasa; KATAYAMA Ruichi; HIBINO Shun; KATO Yoshinori; OHASHI Fumitaka; ITOH Takashi; NONOMURA Shuichi

文献

J-GLOBAL ID：201502251218784781 整理番号：15A0213202

反応性RFスパッタリングにより調製されたa-In_xGa_1-xN膜における熱アニーリングの影響

Effect of thermal annealing in a-In_xGa_1-xN films prepared by reactive RF-sputtering

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資料名：
巻： 92 号： 7/8 ページ： 943-946 発行年： 2014年07月
JST資料番号： B0229A ISSN： 0008-4204 CODEN： CJPHAD 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：カナダ (CAN) 言語：英語 (EN)

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反応性RFスパッタリングにより調製されたa-InxGa1-xN膜における熱アニーリングの影響

反応性RFスパッタリングにより調製されたa-In_xGa_1-xN膜における熱アニーリングの影響