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J-GLOBAL ID:201502251349991650   整理番号:15A0262107

非晶質InGaZnO薄膜トランジスタと組み合わせた誘電コンデンサ上のパラジウム電極による新しい水素ガス検出

Novel hydrogen gas sensing by palladium electrode on dielectric capacitor coupled with an amorphous InGaZnO thin-film transistor
著者 (8件):
資料名:
巻: 209  ページ: 490-495  発行年: 2015年03月31日 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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パラジウム(Pd)は水素(H2)ガスの選択検出能力がよく知られ,検出過程は吸収水素ガス分子の水素化パラジウム化合物生成を伴う。このようなPd-H相互作用はPdの電気抵抗と体積の増加を生じ,同時にその仕事関数を低下する。このPd系水素センサは従来の半導体集積回路と接続したときより有益となる。ここでは,Pd/SiO2/p+-SiコンデンサにおけるH誘発連鎖反応:Pd体積膨張,Pd-SiO2接触変化,静電容量変化を発見したため,金属/SiO2/p+-Si(MIM)コンデンサ用のH検出電極としてPd膜を使用した。この静電容量変化を電気的安定非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)のゲートに接続した。この結果,a-IGZO TFTのドレイン電流としてのH誘発出力がPd-MIMセンサからの静電容量信号変化により静的及び動的に測定できた。この出力電流信号は負荷抵抗器をa-IGZO TFTへ直列に接続したとき電圧に変換した。このセンサ回路形態はその簡略さと実用性のため有望で新規性があると考えられる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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分析機器  ,  無機化合物の電気分析 
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