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J-GLOBAL ID：201502251366623215   整理番号：15A0688293

非平衡RTPを使用したモノリシック3Dプロセッシング

Monolithic 3D processing using non-equilibrium RTP

著者 (1件)： KORCZYNSKI Ed
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 58  号： 3  ページ： 18-20  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Qualcomm Technologiesが発表したモノリシック3D(M3D)プロセッシング技術の概要を紹介した。M3D技術では,従来の3D積層に使われているスルーシリコンビア(TSV)を使用せず,下部MOSFET上に直接上部トランジスタを集積する。このプロセスでは,下部MOSFETの特性変化を極力抑えるため,「CoolCube」と呼ぶ低温プロセスを使用する。上部トランジスタの製作では,下部トランジスタに熱の影響を与えないように「レーザ非平衡RTP」技術を使う。このプロセスの詳細は発表されていないが,Qualcomm社は量産化に近いまで技術の開発が進んでいると考えられる。

シソーラス用語： *非平衡状態 ,  *RTA【熱処理】 ,  *集積 ,  三次元 ,  一体構造 ,  半導体集積回路 ,  半導体プロセス ,  低温
準シソーラス用語： RTP【熱処理】 ,  モノリシック集積 ,  *三次元集積 ,  低温プロセス ,  非平衡

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非平衡 ,  RTP ,  3D ,  プロセッシング