文献
J-GLOBAL ID:201502251900625180   整理番号:15A0647983

エレクトロスピニングと中空体カソードプラズマ支援原子層蒸着の組合せによる柔軟な高分子-GaNコア-シェルナノファイバの製造

Fabrication of flexible polymer-GaN core-shell nanofibers by the combination of electrospinning and hollow cathode plasma-assisted atomic layer deposition
著者 (9件):
資料名:
巻:号: 20  ページ: 5199-5206  発行年: 2015年05月28日 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文で,通常のGaNセラミックナノファイバの調製で必要とされる温度よりも非常に低い処理温度における,柔軟な高分子-GaN有機-無機コア-シェルナノファイバの製造によるエレクトロスピニングと中空体カソードプラズマ支援原子層蒸着(HCPA-ALD)プロセスの組合せを報告した。200°Cでエレクトロスピニングされた高分子(ナイロン66)ナノファイバ上にGaNのHCPA-ALDで製造された高分子-GaN有機-無機コア-シェルナノファイバを,電子顕微鏡,エネルギー分散X線分析,制限視野電子回折,X線回折,X線光電子分光法,光ルミネセンス測定および動的機械分析を用いて詳細にキャラクタリゼーションした。透過型電子顕微鏡研究から,これらの高表面積の3D基板に対して最高の均一性と共形性を得るためには,プロセスパラメータを更に最適化する必要があることが分かったが,HCPA-ALDプロセスにより,~28nmの厚い多結晶のwurtzite型GaN層が平均~70nmのファイバ直径の高分子ナノファイバ上に生成した。柔軟な高分子コアと低処理温度を示すことにより,これらのコア-シェル半導性ナノファイバは,様々な電子応用および光電応用で高性能材料であることが既に示されている脆いセラミックGaNナノファイバを代替する能力を有すると考えられた。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (6件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光電デバイス一般  ,  電気化学一般  ,  プラズマ応用  ,  気相めっき  ,  塩  ,  ポリアミド 
タイトルに関連する用語 (11件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る