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J-GLOBAL ID：201502252271291149   整理番号：15A0540593

プラズモン増強ITO電極上の正孔輸送層を持たない有機太陽電池に向けて

Towards organic solar cells without the hole transporting layer on the plasmon-enhanced ITO electrode

著者 (12件)： VOJTKO Andrej (Inst. of Physics SAS, Dubravska cesta 9, 84511, Bratislava, SVK) ,  JERGEL Matej ,  NADAZDY Vojtech ,  SIFFALOVI Peter ,  KAISER Michal ,  HALAHOVETS Yuriy ,  BENKOVICOVA Monika ,  IVANCO Jan ,  MAJKOVA Eva ,  EROLA Markus O. A. ,  SUVANTO Sari ,  PAKKANEN Tuula T.
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 4  ページ： 867-876  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウム錫(ITO)電極のUV/オゾン処理による正孔輸送層(HTL)の回避を,ITO上にスピンコーティングしたプラズモン金ナノ粒子と金ナノロッドを有するP3HT:PC₆₁BM及びPBDTTT-CF:PC₇₁BM有機太陽電池上でそれぞれ試験することに成功した。また比較のために,裸のUV/オゾン処理ITO上の基準素子とHTLを持つ基準素子を作製した。裸のITOのUV/オゾン処理とプラズモン増強ITO電極は,活性層における高分子と電極の仕事関数の効果的アラインメントをそれぞれ5.5eVと5.6eVの飽和値で可能にすることが分かった。裸のUV/オゾン処理ITO上の素子のパワー変換効率(PCE)はHTLを持つ慣用の素子のそれと同程度であった。UV/オゾン処理前のITO上の30nm金ナノ粒子と長さ40nmの金ナノロッドの適用はPCEをそれぞれ20%及び10%改善した。これらの結果はOSCの簡単で費用効果の高い作製の可能性を示唆した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化インジウムスズ ,  *太陽電池 ,  有機半導体 ,  オゾン処理 ,  紫外線照射 ,  *ナノ粒子 ,  ナノロッド ,  ポリヘキシルチオフェン ,  フラーレン ,  表面プラズモン ,  仕事関数 ,  *電極
準シソーラス用語： *ITO電極 ,  PCBM ,  パワー変換効率 ,  金ナノロッド ,  *金ナノ粒子 ,  酸化インジウム錫 ,  正孔輸送層 ,  *有機太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズモン ,  増強 ,  ITO電極 ,  正孔輸送層 ,  有機太陽電池