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J-GLOBAL ID：201502252586542441   整理番号：15A0613291

シリコン窒化膜によるRRAMの抵抗スイッチング特性の上部電極金属依存性

Resistive Switching Characteristics of Silicon Nitride-Based RRAM Depending on Top Electrode Metals

著者 (5件)： KIM Sungjun (Seoul National Univ.) ,  JUNG Sunghun (Seoul National Univ.) ,  KIM Min-hwi (Seoul National Univ.) ,  CHO Seongjae (Gachon Univ.) ,  PARK Byung-gook (Seoul National Univ.)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E98.C  号： 5  ページ： 429-433 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/Si₃N₄/Si構造の上部電極が異なる金属の抵抗スイッチング型ランダムアクセスメモリ(RRAM)を製作し,スイッチングと電導特性の電極金属依存性を調べた。金属の仕事関数は高抵抗状態とフォーミング電圧に強くは関係しなかった。Al,Cu,Ni上部電極は両極性と単極性の両方のスイッチング特性を示した。これらの素子の抵抗変化はスイッチング層の異なる欠陥の配列で説明できる。異なる上部電極の素子の中で,Ag電極のものは他とは異なり,単極性のスイッチング特性を示さなかった。Ag電極の場合の低抵抗状態の電導フィラメントは温度依存性が金属の電導特性を示し,事実上Agが電導部に析出するフィラメント源となることを立証した。更に,スイッチング速度の違いが上部電極の金属によることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  スイッチング ,  記憶装置 ,  *薄膜 ,  金属 ,  アルミニウム ,  銅 ,  ニッケル ,  銀 ,  極性 ,  フィラメント ,  依存性
準シソーラス用語： Ag ,  Al ,  Cu ,  Ni ,  *RRAM ,  単極性 ,  *窒化膜 ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗スイッチングメモリ ,  両極性

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (14件)：

• [1] C. W. Park, C. Park, W. Y. Choi, D. Seo, C. Jeong, and I. H. Cho, “Scaling down characteristics of vertical channel phase change random access memory (VPCRAM),” J. Semicond. Technol. Sci., vol.14, no.1, pp.48–52, Feb. 2014.
• [2] S.-D. Yang, S.-H. Kim, H.-J. Yun, K.-S. Jeong, Y.-M. Kim, J.-S. Kim, Y.-U. Ko, J.-U. An, H.-D. Lee, and G.-W. Lee, “Analysis of SOHOS flash memory with 3-level charge pumping method,” J. Semicond. Technol. Sci., vol.14, no.1, pp.34–39, Feb. 2014.
• [3] I.-G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung, and J. T. Moon, “Highly scalable non-volatile resistive memory using simple binary oxide driven by asymmetric unipolar voltage pulses,” Tech. Dig. IEDM, pp. 587–590, Washington D.C., USA, Dec. 2004.
• [4] K.-C. Ryoo, J.-H. Oh, S. Jung, H. Jeong, and B.-G. Park, “Areal and structural effects on oxide-based resistive random access memory cell for improving resistive switching characteristics,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.51, no.4S, pp.04DD14-1–04DD14-5, Apr. 2012.
• [5] J.-H. Oh, K.-C. Ryoo, S. Jung, Y. Park, and B.-G. Park, “Effect of oxidation amount on gradual switching behavior in reset transition of Al/TiO₂-based resistive switching memory and its mechanism for multilevel cell operation,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.51, no.4S, pp.04DD16-1–04DD16-5, Apr. 2012.

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン窒化膜 ,  RRAM ,  スイッチング特性 ,  上部電極 ,  依存性