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J-GLOBAL ID:201502253063326989   整理番号:15A0294955

Ag-Nを共ドープしたZnO薄膜の酸素空孔誘起強磁性

Oxygen vacancies induced ferromagnetism in Ag-N codoped ZnO thin films
著者 (10件):
資料名:
巻: 143  ページ: 128-130  発行年: 2015年03月15日 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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室温強磁性(RTFM)をラジオ周波数(RF)マグネトロンスパッタリングにより石英基板上に作製したAg-Nを共ドープしたZnO[ZnO:(Ag,N)]薄膜で初めて観測した。典型的な強磁性飽和挙動が全てのZnO:(Ag,N)膜の磁化ループに明確に示され,飽和磁化はAg過剰とN過剰条件のいずれでも顕著に減少した。X線光電子分光とフォトルミネセンスに基づく欠陥分析から,多数の酸素空孔(Vo)がZnO:(Ag,N)膜に存在し,膜の飽和磁化はVo濃度の変化と強い相関を見出した。ZnO:(Ag,N)膜で観測されたFMはAgまたはNイオンにより直接導かれたものではなく,Vo欠陥に起因する。このため,本研究ではAgとNドーパントを導入して調節されるVo欠陥の調整によりZnO:(Ag,N)膜のRTFMを確立し,調節するための容易な方法を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  酸化物結晶の磁性 

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