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J-GLOBAL ID：201502253613261979   整理番号：15A0432516

δドープした酸化物超格子に於ける電子特性に及ぼす応力の影響

Strain effects on the electronic properties in δ-doped oxide superlattices

著者 (5件)： YOU Jeong Ho (Southern Methodist Univ., TX, USA) ,  LEE Jun Hee (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  OKAMOTO Satoshi (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  COOPER Valentino (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  LEE Ho Nyung (Oak Ridge National Lab., TN, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 8  ページ： 085303,1-6  発行年： 2015年03月04日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 応力エンジニアリングがデバイスの性能を向上させる為に金属ー酸化物ー半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に上手く利用されている。MOSFETチャネルの応力を変化させることによりチャンネル中の2D電子ガス(2DEGs)の輸送を促進する為にバンドエッジエネルギー,実効質量,散乱センター等の重要な電子材料特性を調整することが出来る。本報で我々は酸化物ヘテロ構造に於ける電子特性を調整する為に応力が有力なツールであることを示す。LTO/STO超格子を原型にして,我々は面内(xy)二軸応力がd_xyとd_yz軌道に分かれるのを促進又は抑制し,その結果2Dと3Dの輸送次元の著しい変化を来たすこと示す。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *δドーピング ,  二次元電子ガス ,  チャネル ,  *人工超格子 ,  *応力 ,  チタン酸ストロンチウム ,  *チタン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  *輸送現象 ,  有効質量 ,  エネルギー ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： チタン酸ランタン ,  バンドエッジエネルギー ,  実効質量 ,  電子輸送

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： δドープ ,  酸化物 ,  超格子 ,  電子 ,  応力