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J-GLOBAL ID：201502253660969904   整理番号：15A0048100

高速アバランシェフォトダイオード【Powered by NICT】

A high-speed avalanche photodiode

著者 (6件)： Li Bin (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Yang Xiaohong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Yin Weihong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Lu Qianqian (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Cui Rong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Han Qin (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Beijing)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 35  号： 7  ページ： 074009-1-074009-5  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光通信システムに広く使用されている高速アバランシェフォトダイオード。今日,分離吸収電荷と増倍構造が広く採用されている。分離吸収電荷と増倍構造よりも高い速度で構造を報告した。従来の吸収層,電荷層と増倍層に加えて,この構造は付加的な電荷層と輸送層を導入し,それにより分離吸収,電荷,乗算,電荷と輸送構造に関係すると考えられる。新しい電荷層と輸送層の導入は,素子構造設計の自由度をもたらす。この構造の利点は,キャリア走行時間と素子容量を独立に減少させることができることであり,そのため,3dB帯域幅は,同じサイズの分離吸収電荷と増倍構造とは対照的に50%以上改善することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  電荷 ,  素子構造 ,  走行時間 ,  帯域幅

分類 (6件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  発光素子  (NC03082G) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： アバランシェフォトダイオード