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J-GLOBAL ID：201502253988399544   整理番号：15A0392827

接合容量の理論と用法の再考 高性能アモルファス/結晶シリコンヘテロ接合太陽電池へのアプリケーション

Revisiting the theory and usage of junction capacitance: Application to high efficiency amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cells

著者 (5件)： KLEIDER Jean-Paul (Lab. de Genie Electrique de Paris, CNRS UMR 8507, SUPELEC, Univ. Paris-Sud, Sorbonne Universites-UPMC Univ. Paris 06 ...) ,  ALVAREZ Jose (Lab. de Genie Electrique de Paris, CNRS UMR 8507, SUPELEC, Univ. Paris-Sud, Sorbonne Universites-UPMC Univ. Paris 06 ...) ,  BREZARD-OUDOT Aurore (Lab. de Genie Electrique de Paris, CNRS UMR 8507, SUPELEC, Univ. Paris-Sud, Sorbonne Universites-UPMC Univ. Paris 06 ...) ,  GUEUNIER-FARRET Marie-Estelle (Lab. de Genie Electrique de Paris, CNRS UMR 8507, SUPELEC, Univ. Paris-Sud, Sorbonne Universites-UPMC Univ. Paris 06 ...) ,  MASLOVA Olga (Lab. de Genie Electrique de Paris, CNRS UMR 8507, SUPELEC, Univ. Paris-Sud, Sorbonne Universites-UPMC Univ. Paris 06 ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 135  ページ： 8-16  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者は,アモルファス半導体に関連する接合容量に関する基本概念と特性を詳細に論評し,Cohenと彼の先駆的研究に敬意を表した。著者は,アモルファス半導体,すなわち水素化非晶質シリコンとヘテロ接合の両方が存在している高効率シリコンヘテロ接合(SiHET)太陽電池へと議論を広げます。モデルと実験結果の両方を提示することによって,著者は,空間電荷領域における空乏近似を活用した接合容量の従来理論が,SiHET太陽電池で得られた容量データを再現できないことを実証した。実験的温度依存性は空乏層容量のものよりかなり強くて,一方バイアス依存収量が拡散ポテンシャルを過小評価して,文献で先行的に提案された手順を用いてバンドオフセットの決定に適用されるなら大きな誤りを導いた。著者は,a-Si:Hの非晶質特性に関連しないで,少数キャリアが接合容量の分析で考慮するのを必要とする強く反転したc-Si表面層の存在に関連していることを実証した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  *アモルファスシリコン ,  ケイ素 ,  *容量 ,  空間電荷 ,  空乏層 ,  バイアス ,  温度依存性
準シソーラス用語： *結晶シリコン ,  *接合容量

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 接合容量 ,  理論 ,  用法 ,  高性能 ,  アモルファス ,  結晶シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  アプリケーション