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J-GLOBAL ID：201502254165778864   整理番号：15A0321358

能動多モード干渉構造を用いた高出力InAs/GaAs量子ドット-イン-ウェルレーザの基底状態レーザ放射

Ground-state lasing in high-power InAs/GaAs quantum dots-in-a-well laser using active multimode interference structure

著者 (5件)： CHENG Yuanbing (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  WU Jian (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  ZHAO Lingjuan (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LUO Xianshu (A*STAR (Agency of Sci. and Technol. Res.), Singapore) ,  WANG Qi Jie (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Optics Letters  (Optics Letters)
巻： 40  号： 1  ページ： 69-72  発行年： 2015年01月01日 
JST資料番号： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *光干渉 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  *量子ドット ,  基底状態 ,  レーザビーム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *半導体レーザ ,  量子井戸 ,  量子細線
準シソーラス用語： *多モード干渉

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： 多モード干渉 ,  高出力 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  ウェル ,  レーザ ,  基底状態 ,  レーザ放射