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J-GLOBAL ID：201502254854731492   整理番号：14A1432466

直冷IGBTモジュールの熱散逸性能研究【Powered by NICT】

Heat dissipating performance research of direct-cooling IGBT module

著者 (4件)： Sun We (Inst. of Electrical Engineering,Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Power Electronics and Electric Drive, Chinese ...) ,  Liu Jun (Inst. of Electrical Engineering,Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Power Electronics and Electric Drive, Chinese ...) ,  Su Wei (Inst. of Electrical Engineering,Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Power Electronics and Electric Drive, Chinese ...) ,  Tai Xiang (Inst. of Electrical Engineering,Chinese Acad. of Sciences, Key Lab. of Power Electronics and Electric Drive, Chinese ...)
資料名： Diangong Dianneng Xinjishu  (Diangong Dianneng Xinjishu)
巻： 33  号： 4  ページ： 21-25,60  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2503A  ISSN： 1003-3076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクス機器の成分の温度は,その性能と信頼性のための重要な要因の一つである。IGBT電力モジュールの熱散逸のために,最も一般的な研究の焦点の一つは,設計段階におけるパワーモジュールの銅基板への放射フィンを統合する直接冷却技術を使用することである。この構造はIGBTモジュールの設置はモジュール銅基板を接続するための熱界面材料を使う必要がないと冷却板はもはや,モジュールの全体熱抵抗を有意に減少することを保証する。本論文では,一の直接冷却IGBTモジュールにおける自己開発した2の熱散逸性能を試験し,従来の間接冷却モジュールと対照的であった。実験結果は,直接冷却モジュールの全熱抵抗は33%まで低下することを示した,一方,温度場分布はより均一であった。本論文では,また,直接冷却パワーモジュールのためのシミュレーションモデル,試験結果と満足すべき整合性を確立し,直接冷却モジュールの熱散逸性能を深く研究することをモデルを使うことができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *IGBT ,  パワーエレクトロニクス ,  信頼性 ,  フィン ,  熱抵抗 ,  温度場 ,  シミュレーションモデル
準シソーラス用語： *熱散逸 ,  パワーモジュール ,  熱界面材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 直冷 ,  IGBT ,  モジュール ,  熱散逸 ,  研究