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J-GLOBAL ID：201502255154776807   整理番号：15A0694825

Laドープp型ZnOナノファイバとエレクトロスピニングによる交差p-nホモ接合の製造と光電子特性

Fabrication and photoelectric properties of La-doped p-type ZnO nanofibers and crossed p-n homojunctions by electrospinning

著者 (10件)： ZHANG H. D. (Coll. of Physics & Collaborative Innovation Center for Low-Dimensional Nanomaterials and Optoelectronic Devices ...) ,  YU M. ,  ZHANG J. C. ,  SHENG C. H. ,  YAN X. ,  HAN W. P. ,  LIU Y. C. ,  CHEN S. ,  SHEN G. Z. ,  LONG Y. Z.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 23  ページ： 10513-10518  発行年： 2015年06月21日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Laドープp型ZnOナノファイバをエレクトロスピニングとその後のか焼によって成功裏に合成した。LaドープZnOナノファイバのミクロ組織と形態を走査型電子顕微鏡観察(SEM),X線回折(XRD),X線光電子分光(XPS)およびRaman分光によってキャラクタリゼーションを行なった。個々のナノファイバの電場効果曲線が結果としてのLaドープZnOファイバはp型半導体であることを確認している。ドーピング機構を考察している。さらに,交差p-nホモ接合ナノファイバもエレクトロスピニングしたLaドープp型ZnOとn型純ZnOファイバに基いて調製した。電流-電圧曲線がp-nホモ接合デバイスの典型的な整流特性を示している。ターンオン電圧は前方バイアスの下で約2.5Vで現れ,逆電流は流れることはできない。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノファイバ ,  *エレクトロスピニング ,  ランタン ,  ドーピング ,  P型半導体 ,  微細構造 ,  半導体接合 ,  *光電効果 ,  整流 ,  か焼
準シソーラス用語： ホモ接合

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： La ,  ドープ ,  ZnO ,  ナノファイバ ,  エレクトロスピニング ,  交差 ,  ホモ接合 ,  光電子