文献

J-GLOBAL ID：201502255273514241   整理番号：15A0416968

金属膜やナノ粒子からのバルク光電子放出

Bulk photoemission from metal films and nanoparticles

著者 (6件)： IKHSANOV R. Sh. (‘Rosatom’ State Atomic Energy Corp., Moscow region, RUS) ,  BABICHEVA V. E. (ITMO Univ., St. Petersburg, RUS) ,  PROTSENKO I. E. ,  USKOV A. V. ,  GUZHVA M. E. (ITMO Univ., St. Petersburg, RUS) ,  GUZHVA M. E. (Saint-Petersburg State Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Quantum Electronics  (Quantum Electronics)
巻： 45  号： 1  ページ： 50-58  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： D0044C  ISSN： 1063-7818  CODEN： QUELEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電子放出材料として,半導体マトリックス内のナノ粒子や金属膜に着目した。これらの材料系において,バルク光電子放出の機構を調べるために,解析モデルについて検討した。ナノ粒子として,ナノワイヤとナノスフェアを取り上げた。また,金属-半導体界面では,Schottky障壁やプラズモンが生成すると仮定した。金属-半導体界面での有効質量の変化や,金属での電子衝突によるホットエレクトロンの冷却効果を考慮して,光電子放出に関するモデルを構築した。これに基づいて,光電子放出の内部量子効率を計算した。この結果,これらの効果を考慮することで,バルク光電子放出の特性を正確に解析できることが分かった。

シソーラス用語： *光電子放出 ,  *ナノ粒子 ,  *金属薄膜 ,  ナノワイヤ ,  マトリックス【母体】 ,  量子効率 ,  Schottky障壁 ,  ホットエレクトロン ,  電気材料 ,  解析モデル ,  界面 ,  プラズモン ,  有効質量 ,  電子衝突
準シソーラス用語： ナノスフェア ,  金属-半導体界面 ,  内部量子効率

分類 (2件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属膜 ,  ナノ粒子 ,  バルク ,  光電子放出