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J-GLOBAL ID：201502255741364554   整理番号：15A0689914

管状および平面グラフジインのキャリア移動度の研究

Study of carrier mobility of tubular and planar graphdiyne

著者 (4件)： JALILI Seifollah (K. N. Toosi Univ. of Technol., Dep. of Chemistry, P. O. Box 15875-4416, Tehran, IRN) ,  JALILI Seifollah (Inst. for Res. in Fundamental Sciences (IPM), Computational Physical Sciences Res. Lab., School of Nano-Science ...) ,  HOUSHMAND Fatemeh (K. N. Toosi Univ. of Technol., Dep. of Chemistry, P. O. Box 15875-4416, Tehran, IRN) ,  SCHOFIELD Jeremy (Univ. of Toronto, Chemical Physics Theory Group, Dep. of Chemistry, 80 Saint George Street, M5S 3H6, Toronto, ON, CAN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 119  号： 2  ページ： 571-579  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフジインナノチューブは理論的に予測されたから10年後に構築されたが,その多くの性質が未知のままであった。本報では,カーボンナノチューブの新しい族,グラフジインナノチューブの輸送特性を,緩和時間近似によるBoltzman輸送方程式と組み合わせたスピン分極密度汎関数理論を使って系統的に調べた。筒形のグラフジイン(GDNT)の電荷移動度を予測した。室温のGDNTについて計算した固有電子移動度は10⁴cm²V^-1s^-1程度に達した。一方,正孔移動度の大きさは10²cm²V^-1s^-1程度であった。このDTFの結果はGDNTが直接バンドギャップ半導体であることも示した。GDNTについて計算した凝集および歪みエネルギーはこの新しいナノ材料が従来のカーボンナノ粒子より安定であることを示した。GDNTの外側表面への遷移金属原子(Fe)の吸着をDTF法および密度汎関数理論プラス有効オンサイトCoulomb反発パラメータU,Habbard補正,によって調べた。遷移金属(TM)吸着GDNTは磁気を帯び,半金属の性質を示す。TM吸着原子とGDNTの間の電荷移動およびTM原子内s,p,d軌道の電子の再分布は,TM吸着単層γ-グラフィディンがスピントロニクスや将来のオプトエレクトロニクスの用途で高い可能性をもっていることを示している。グラフィディンの単層ナノ構造(pGD)も調べた。その結果としてのpGDとTM吸着pGDの電子的性質はこれらのナノ構造の従来の結果を検証した。また,安定なTM-pGDナノ構造およびTM-GDNTの輸送特性は注目に値する。両ナノ構造のエネルギーギャップ値はTMのd軌道の局所Coulomb相互作用に極めて敏感であることが分かった。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラフェン ,  *三重結合 ,  *炭素材 ,  *カーボンナノチューブ ,  *キャリア移動度 ,  Boltzmann方程式 ,  *スピン分極 ,  *密度汎関数法 ,  半導体 ,  バンドギャップ ,  遷移金属 ,  *鉄 ,  *吸着 ,  半金属 ,  *バンド構造
準シソーラス用語： *グラフジイン ,  *グラフジインナノチューブ ,  正孔移動度 ,  直接バンドギャップ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフジイン ,  キャリア移動度 ,  研究