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J-GLOBAL ID：201502256073336620   整理番号：15A0445146

デュアルゲートMoS₂/WSe₂ van der Waalsトンネルダイオード及びトランジスタ

Dual-Gated MoS₂/WSe₂ van der Waals Tunnel Diodes and Transistors

著者 (17件)： ROY Tania (Univ. California, California, USA) ,  ROY Tania (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  TOSUN Mahmut (Univ. California, California, USA) ,  TOSUN Mahmut (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CAO Xi (Univ. Florida, Florida, USA) ,  FANG Hui (Univ. California, California, USA) ,  FANG Hui (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  LIEN Der-Hsien (Univ. California, California, USA) ,  LIEN Der-Hsien (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  LIEN Der-Hsien (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  ZHAO Peida (Univ. California, California, USA) ,  ZHAO Peida (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CHEN Yu-Ze (Univ. California, California, USA) ,  CHUEH Yu-Lun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  GUO Jing (Univ. Florida, Florida, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, California, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 2  ページ： 2071-2079  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元層状半導体は,その原子レベルで平坦な厚さによる均一なバンド端急峻さのためにバンド間トンネリングデバイスのための有望な材料プラットフォームを提供する。ここでは,系統的なデュアルゲートデバイスアーキテクチャを用いることによって,縦型MoS₂/WSe₂ヘテロ構造においてバンド間トンネル電流を実証した。印加ゲート電圧を調整し,デバイスを多用途にすることによって,同一デバイスを逆方向ダイオード,あるいは,正方向整流ダイオードのEsakiダイオードとして動作させることができる。特に,MoS₂/WSe₂縦型界面におけるバンドオフセット調整に関して~80%の高いゲート結合効率を実証する。理論シミュレーションから,ダイオード動作モードを2D層の弱い静電スクリーニングに基づいて2つのゲートによって容易に変調できることを確認する。実験と理論の両方から,縦方向に沿った電荷空乏領域の欠如から生じる正方向バイアス動作モードにおけるvan der Waals(vdW)縦方向ヘテロ構造における非弾性輸送の重要性が示される。2D間トンネリングの実証は,半導体層状材料における重要な発見である。今回の研究は,将来の低電力エレクトロニクスのトンネルトランジスタにおいてvdW半導体ヘテロ構造を用いる可能性を確立する。

シソーラス用語： *トンネルダイオード ,  *トランジスタ ,  *トンネル効果 ,  van der Waals力 ,  硫化モリブデン ,  セレン化物 ,  タングステン化合物 ,  ゲート【半導体】 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属 ,  負性抵抗 ,  素子構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： セレン化タングステン ,  デュアルゲート ,  負性微分抵抗

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： デュアルゲート ,  MoS2 ,  VAN ,  トンネルダイオード ,  トランジスタ