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J-GLOBAL ID：201502258756040541   整理番号：15A0510235

実用化へ加速!SiC半導体と周辺技術開発の最新動向 解説3 SiCパワーモジュール用高耐熱受動部品

著者 (3件)： 山東睦夫 (ファインセラミックス技術研究組合) ,  土屋哲男 (産業技術総合研) ,  村山宣光 (産業技術総合研)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 63  号： 5  ページ： 35-39  発行年： 2015年05月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 250°C以上で作動するSiCパワーデバイス近傍に設置する受動部品(抵抗器,コンデンサ)について,NEDОプロジェクトの研究成果に基づき報告した。開発した抵抗体を蒸着または印刷・焼付けして作製したセラミック製チップ型抵抗器の,-40~250°Cの抵抗値の変化は2%以下で目標よりも良好であった。広い温度領域で静電容量の温度変動を抑制し,耐圧を確保してサイズ体積も小さくするという開発目標のもとに,チップ型積層セラミックコンデンサを開発した。内部電極間にある誘電体に関しては,高比抵抗系および複合ペロブスカイト系を用いたコンデンサを試作した。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  回路部品 ,  積層形コンデンサ ,  *抵抗器 ,  *磁器コンデンサ ,  電気抵抗 ,  誘電体 ,  静電容量 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  耐熱性 ,  炭化ケイ素 ,  回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  パワーモジュール ,  受動部品 ,  炭化ケイ素素子

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 実用化 ,  加速 ,  周辺技術 ,  開発 ,  最新動向 ,  SiC ,  パワーモジュール ,  高耐熱 ,  受動部品