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J-GLOBAL ID：201502259088216396   整理番号：14A1416358

GaAsに及ぼす遅いイオン(84)Kr(15+17+)の衝撃

Slow ions (84)Kr(15+,17+) bombardment on GaAs

著者 (7件)： Yang Bian (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, Lanzhou) ,  Yang Zhihu (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, Lanzhou) ,  Xu Qiumei (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, Lanzhou) ,  Guo Yipan (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, Lanzhou) ,  Wu Yehong (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, Lanzhou) ,  Song Zhangyong (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, Lanzhou) ,  Cai Xiaohong (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, Lanzhou)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 63  号： 5  ページ： 053201-1-053201-6  発行年： 2014年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 著者らはGaAs(100)による遅いイオンKr(15+);17+衝突から表面モホロジーと可視光放出を調査した。GaAs膜の表面無秩序は主に入射イオンの電荷状態に依存する。標的原子Gaの2つのスペクトル線は403.2nmにおけるGa I4p2P_(1/2)o-52S_(1/2)と417.0nmにおける4p2P_(3/2)o-52S_(1/2)の変換に属す。標的種の発光は標的表面原子に蒸着した入射イオンのエネルギーに依存した。中和過程で,Kr+の4つのスペクトル線はそれぞれ410.0nmにおけるKr II4d4F_(7/2)-5p2D_(5/2)o,430.4nmにおける52P_(3/2)-5p4S_(3/2)o,434.0nmにおける5p4D_(3/2)o-4d2D_(3/2),および486.0nmにおけるKr II4d4D_(1/2)-5p2S_(1/2)oの変換に起因できる。固体表面の誘導バンドの多くの電子を高励起状態の入射イオンとして獲得した後に,それらはカスケード脱励起によって誘発されている。入射イオンKr(17+)からのこれらの6つのスペクトル線の強度はKr(15+’)sより明らかに大きい。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： クリプトン同位体 ,  *ヒ化ガリウム ,  ガリウム ,  ヒ素 ,  イオン ,  クリプトン ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  励起状態 ,  表面 ,  状態 ,  電荷 ,  可視光 ,  固体表面 ,  荷電状態 ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： *GaAs ,  Kr ,  電荷状態 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  イオン ,  Kr ,  衝撃