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J-GLOBAL ID：201502259269133166   整理番号：15A0444564

層間S-S相互作用が支配するランダムにスタックしたMoS₂二重層での層間電子カップリング

Interlayer Electronic Coupling in Arbitrarily Stacked MoS₂ Bilayers Controlled by Interlayer S-S Interaction

著者 (2件)： CAO Boxiao (George Washington Univ., Washington, D.C., USA) ,  LI Tianshu (George Washington Univ., Washington, D.C., USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 2  ページ： 1247-1252  発行年： 2015年01月15日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算(PBE-PAW)によって,整合および不整合MoS₂二重層のバンド構造を調べた。二重層には層間カップリングによる間接バンドギャップが存在し,その大きさは格子レジストリーによって変化すること,電子的カップリングは層間の硫黄原子(反結合Pz軌道)の相互作用に起因すること,カップリングの大きさは層の交差角とは無関係なことなどが分かった。得られた結果によって,MoS₂二重層についての実測の光ルミネセンス特性が説明できた。

シソーラス用語： *多層膜 ,  *硫化モリブデン ,  *原子間相互作用 ,  *硫黄 ,  整合 ,  不整合 ,  バンド構造 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  測定データ ,  光ルミネセンス ,  角度
準シソーラス用語： *二重層 ,  間接バンドギャップ ,  交差角

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 相互作用 ,  スタック ,  MoS2 ,  二重層 ,  電子 ,  カップリング