アクセスの局所性に着目したSTT-MRAMキャッシュの周辺回路の電源制御手法

有間英志; 野口紘希; 中田尚; 三輪忍; 武田進; 藤田忍; 中村宏

文献

J-GLOBAL ID：201502259588427288 整理番号：15A0337712

アクセスの局所性に着目したSTT-MRAMキャッシュの周辺回路の電源制御手法

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資料名：
巻： 2014 号： ARC-211 ページ： VOL.2014-ARC-211,NO.11 (WEB ONLY) 発行年： 2014年07月21日
JST資料番号： U0451A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

プロセッサの消費するリーク電力は,半導体の微細化が進むにつれて増大してきた。特にキャッシュのリーク電力は,回路面積が大きいために,プロセッサの消費電力の大部分を占めている。この問題に対処するため,STT-MRAMといった不揮発性メモリをキャッシュに適用する試みが近年なされている。しかし,STT-MRAMで構成されたキャッシュでは,メモリセルのリーク電力は無視できる程小さいが,周辺回路のリーク電力が大きくなるという問題があった。そのため,性能低下を抑えつつこれを削減する様な技術が必要となる。そこで本研究では,STT-MRAMキャッシュの周辺回路に対して,細粒度に電源制御を行う技術を提案する。具体的には,サブアレイ単位の電源制御を行い,各サブアレイに対して一定時間アクセスがなければ,そのサブアレイに対する電源供給を遮断する。また,電力削減効果をさらに増大させるため,各サブアレイに対するアクセスの時空間的な局所性を向上させる技術も提案する。評価の結果,最新のSTT-MRAMを適用したラスト・レベル・キャッシュにおいて80%程度のリーク電力の削減が可能であることが分かった。(著者抄録)

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制御方式

引用文献 (8件)：

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