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J-GLOBAL ID：201502259798081406   整理番号：15A0315186

Wバッファおよびキャッピング層を採用したCoFeB/MgOの極めて安定な垂直磁気異方性

Highly stable perpendicular magnetic anisotropies of CoFeB/MgO frames employing W buffer and capping layers

著者 (7件)： AN Gwang-Guk (Novel Functional Materials and Devices Lab, The Res. Inst. for Natural Sci., Dep. of Physics, Hanyang Univ., Seoul ...) ,  LEE Ja-Bin (Novel Functional Materials and Devices Lab, The Res. Inst. for Natural Sci., Dep. of Physics, Hanyang Univ., Seoul ...) ,  YANG Seung-Mo (Novel Functional Materials and Devices Lab, The Res. Inst. for Natural Sci., Dep. of Physics, Hanyang Univ., Seoul ...) ,  KIM Jae-Hong (Div. of Nano-Scale Semiconductor Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  CHUNG Woo-Seong (Nano Quantum Electronics Lab, Dep. of Electronics and Computer Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  HONG Jin-Pyo (Novel Functional Materials and Devices Lab, The Res. Inst. for Natural Sci., Dep. of Physics, Hanyang Univ., Seoul ...) ,  HONG Jin-Pyo (Div. of Nano-Scale Semiconductor Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 87  ページ： 259-265  発行年： 2015年04月01日 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面垂直磁気異方性(PMA)特性を確保する典型的なCoFeB/MgOフレームは,PMAをベースとしたメモリーデバイスの要求に適合する最も信頼性あるビルディングブロックの一つである。しかしながら,Taバッファ層を持つCoFeB/MgOフレームの採用は,300°C以上の温度でのアニーリング中に生じる急速なPMA劣化および約1.3nmの極薄CoFeB層の必要性により制限されている。この様に,熱に強いPMA特性を向上させる能力は,その利用の拡大に向けて重要なステップである。ここでは,様々なアニーリング温度でWバッファ/CoFeB/MgOおよびMgO/CeFeB/Wキャッピングフレーム両方を用いることによってPMA特徴に与えるW層の影響を調べた。1.3nmよりも相対的に厚いCoFeBにおいて優勢なPMA特性の存在および約5Merg/ccの高K_effの達成と共に,特定なW厚さで450°Cまで極めて安定なPMAを得ることができた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： タングステン ,  保護膜 ,  *酸化マグネシウム ,  タンタル ,  *垂直磁気異方性 ,  バッファ層 ,  ホウ素含有合金 ,  焼なまし ,  薄膜 ,  信頼性 ,  安定性 ,  ホウ素 ,  固体内拡散 ,  *MRAM ,  *鉄合金 ,  コバルト含有合金
準シソーラス用語： キャップ層

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： バッファ ,  キャッピング層 ,  採用 ,  MgO ,  垂直磁気異方性