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J-GLOBAL ID:201502260402680327   整理番号:15A0444815

ペンタセンフィールド効果トランジスタに対するペリレンテトラカルボキシルジイミド誘導体のpn-ヘテロ接合効果

pn-Heterojunction Effects of Perylene Tetracarboxylic Diimide Derivatives on Pentacene Field-Effect Transistor
著者 (13件):
資料名:
巻:号:ページ: 2025-2031  発行年: 2015年01月28日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ペンタセンベースフィールド効果トランジスタ(FET)について検討した。ペンタセン層に対するペリレンテトラカルボキシルジイミド(PTCDI)誘導体沈着層の影響を試験した。3種類の以下のPTCDI誘導体を取り上げた。N,N′-ジオクチル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシルジイミド(PTCDI-C8)(Sigma-Aldrich),N,N′-ビス[2-(4-フルオロフェニル)エチル]-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシルジイミド(4-FPEPTC)(Lumtec),N,N′-ビス[2-(2,4-ジフルオロフェニル)エチル]-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシルジイミド(2,4-FPEPTC)(Lumtec)。これらを電荷移動ドーパントとして使用した。構築したOFETの諸特性を評価した。ドレイン電流~ゲート電圧相関図,正孔移動度~膜厚相関図などを提示した。形態の原子間力顕微鏡観察も行った。検討の結果,本OFETにおいては,PTCDI-C8沈着層が最も効率的であり,純ペンタセンに比較して300倍の増進正孔移動度をもたらすことなどが分かった。
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