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J-GLOBAL ID：201502260626817263   整理番号：15A0563915

酸化物半導体のバンドギャップを狭めるアーク融解

Arc-Melting to Narrow the Bandgap of Oxide Semiconductors

著者 (8件)： OU Gang (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ. ...) ,  LI Dongke ,  PAN Wei ,  ZHANG Qinghua ,  XU Ben ,  GU Lin ,  NAN Cewen ,  WU Hui
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 27  号： 16  ページ： 2589-2594  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連の酸化物半導体のバンドギャップを迅速かつ容易なアーク融解法によって狭めた。高速の融解および冷却過程において相構造の変化なく欠陥構造が形成された。アーク融解酸化物の増強された光学および電気特性,例えば可視光下のアーク融解ZnOの増強された光触媒特性を見いだした。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *バンドギャップ ,  *化合物半導体 ,  *アーク融解 ,  状態 ,  光触媒 ,  可視光
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  欠陥状態【格子】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物半導体 ,  バンドギャップ ,  アーク融解