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J-GLOBAL ID：201502260997615752   整理番号：15A0222959

界面ピン止め法による結晶成長の計算

Computing the crystal growth rate by the interface pinning method

著者 (3件)： PEDERSEN Ulf R. (Dep. of Sciences, Roskilde Univ., P. O. Box 260, DK-4000 Roskilde, DNK) ,  HUMMEL Felix (Fac. of Physics, Univ. of Vienna and Center for Computational Materials Sci., Sensengasse 8, A-1090 Vienna, AUT) ,  DELLAGO Christoph (Fac. of Physics, Univ. of Vienna and Center for Computational Materials Sci., Sensengasse 8, A-1090 Vienna, AUT)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 142  号： 4  ページ： 044104-044104-10  発行年： 2015年01月28日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶成長の本質的パラメータは過冷却および平均成長速度の間の比で与えられる速度定数である。本報は二種の相配置が両相を区別する秩序パラメータに結合したスプリング状のバイアス場の印加により安定化された界面ピンどめ法を用いる単一の平衡シミュレーションによりこの定数を計算できることを示した。結晶成長はSmoluchowski過程であり,従って結晶成長速度は秩序パラメータの末端指数緩和から計算される。本法をLennard-Jonesモデルについて詳細に検討した。速度定数が融解線の高温部に沿って温度の二乗根の逆数によりスケーリングすることを見出した。本法の実用性をNaおよびSi元素の速度定数の第一原理計算により示した。本法の一般化バージョンは結晶核形成速度または他の希少事象の計算に使用されるかもしれない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ピン止め ,  *結晶成長 ,  *固液界面 ,  過冷却 ,  成長速度 ,  定数 ,  平衡 ,  計算機シミュレーション ,  秩序パラメータ ,  Smoluchowski方程式 ,  Lennard-Jonesポテンシャル ,  温度依存性 ,  スケーリング【計数】 ,  ナトリウム ,  ケイ素 ,  第一原理 ,  速度 ,  Langevin方程式 ,  確率モデル
準シソーラス用語： バイアス依存性 ,  核形成速度 ,  速度定数

分類 (3件)： 結晶成長一般  (BK13010Q) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  ピン止め ,  結晶成長 ,  計算