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J-GLOBAL ID:201502261609407236   整理番号:15A0221878

硫化物半導体光触媒の安定性を向上する効果的方法: NドープZnSのケーススタディ

An efficient method to enhance the stability of sulphide semiconductor photocatalysts: a case study of N-doped ZnS
著者 (7件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 1870-1876  発行年: 2015年01月21日 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光腐食を中心にバンドギャップ工学を研究して,水分解からの水素発生に対して安定なNドープZnSを取得した。Nドープ六方晶ZnSを,実験的に製造した。DFT計算は,窒素ヘテロ原子がZnSのSサイトを占有すると,VBM(価電子帯最上部)が増加することを明らかにした。NドープZnSにおいて,CBM(伝導帯下部)の小さな変化により,VBMが約1.0ev増加する。製造したNドープZnSは,水からの光触媒水素発生に対して,良好な光安定性と安定した能力を示した。
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光化学反応  ,  触媒の調製  ,  その他の触媒  ,  硫黄とその化合物 

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