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J-GLOBAL ID：201502262037870700   整理番号：15A0228378

ゲート絶縁体のための非晶質窒化アルミニウム薄膜の成膜及び特性評価

Deposition and characterization of amorphous aluminum nitride thin films for a gate insulator

著者 (16件)： OIKAWA H. (Inst. of Materials Sci., Univ. of Tsukuba,1-1-1 Tennoudai, Tsukuba, 305-8573, JPN) ,  OIKAWA H. (Tsukuba Nano-Tech Human Resource Dev. Program, Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 ...) ,  AKIYAMA R. (Inst. of Materials Sci., Univ. of Tsukuba,1-1-1 Tennoudai, Tsukuba, 305-8573, JPN) ,  AKIYAMA R. (Tsukuba Nano-Tech Human Resource Dev. Program, Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 ...) ,  KANAZAWA K. (Inst. of Materials Sci., Univ. of Tsukuba,1-1-1 Tennoudai, Tsukuba, 305-8573, JPN) ,  KURODA S. (Inst. of Materials Sci., Univ. of Tsukuba,1-1-1 Tennoudai, Tsukuba, 305-8573, JPN) ,  KURODA S. (Tsukuba Nano-Tech Human Resource Dev. Program, Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 ...) ,  HARAYAMA I. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai, Tsukuba, 305-8573, JPN) ,  HARAYAMA I. (Tsukuba Nano-Tech Human Resource Dev. Program, Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 ...) ,  NAGASHIMA K. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai, Tsukuba, 305-8573, JPN) ,  SEKIBA D. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai, Tsukuba, 305-8573, JPN) ,  SEKIBA D. (Tandem Accelerator Complex, Res. Facility Center for Sci. and Technol., Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai, Tsukuba ...) ,  ASHIZAWA Y. (Coll. of Sci. and Technol., Nihon Univ., 7-24-1 Narashinodai, Funabashi, 274-8501, JPN) ,  TSUKAMOTO A. (Coll. of Sci. and Technol., Nihon Univ., 7-24-1 Narashinodai, Funabashi, 274-8501, JPN) ,  NAKAGAWA K. (Coll. of Sci. and Technol., Nihon Univ., 7-24-1 Narashinodai, Funabashi, 274-8501, JPN) ,  OTA N. (Tsukuba Nano-Tech Human Resource Dev. Program, Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 574  ページ： 110-114  発行年： 2015年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート絶縁膜に適した電気絶縁性を調べるために,反応性蒸着により形成した窒化アルミニウム(AlN)薄膜を特徴付けた。固定したN束でのAl束の総量の変化により堆積した一連のAlN膜に対して,X線光電子分光法(XPS)及び弾性反跳粒子検出法(ERDA)を用いて,組成的及び化学的分析を行った。電流-電圧(I-V)測定結果と組み合わせにより,絶縁特性が,ERDA測定により推定したAlとNとの間の組成比と相関していることを見出した。高電界1MV/cmでの10^-9A/cm²の桁の最小リーク電流を有する良好な電気絶縁は,Al-N結合状態の優勢がXPS測定で確認されたAl/Nのほぼ化学量論的な組成比の膜で達成された。一方,空気への暴露による表面酸化に起因すると考えられる酸素の取り込みは,電気的特性に僅かの影響しか与えなかった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質 ,  *窒化アルミニウム ,  *化学蒸着 ,  *絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  X線光電子スペクトル ,  放射線吸収・散乱分析 ,  電流電圧特性 ,  *漏れ電流 ,  酸化 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 反応性蒸着 ,  弾性反跳粒子検出法 ,  表面酸化

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート絶縁体 ,  非晶質 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜 ,  成膜 ,  特性評価