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J-GLOBAL ID：201502262445328751   整理番号：15A0662599

有機薄膜トランジスタのための非平衡マグネトロンスパッタリングによりポリエチレンテレフタレート基板上に作製したAlドープZnO膜の特性

Characteristics of Al Doped ZnO Films Prepared on Polyethylene Terephthalate Substrate by Unbalanced Magnetron Sputtering Method for Organic Thin Film Transistors

著者 (2件)： LEE Jaehyeong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Yong Seob (Chosun Coll. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 7  号： 1  ページ： 151-156  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリエチレンテレフタレート(PET)フレキシブル基板上に,AlドープZnO(AZO)膜を,2wt%Al₂O₃ドープZnOターゲットを用いたパルスDC非平衡マグネトロンスパッタリング法により堆積し,AZO膜を,有機薄膜トランジスタ(OTFT)におけるゲート電極として用いた。低温,50kHzパルス周波数で堆積したAZO膜は,低抵抗率,高結晶性,及び一様表面形態を示した。PET上に堆積したAZO薄膜は,可視領域において90%の高い光透過率を示した。AZOゲート電極でOTFTを作製し,OTFTの電気性能を得た。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  透明電極 ,  結晶度 ,  電気抵抗率 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  *薄膜成長 ,  基板 ,  室温 ,  表面性状 ,  透過率 ,  光透過 ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  電圧 ,  キャリア移動度 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  結合エネルギー ,  キャリア密度 ,  Hall移動度
準シソーラス用語： 有機薄膜トランジスタ ,  AZO ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  FE-SEM

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機薄膜トランジスタ ,  非平衡 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ポリエチレンテレフタレート ,  作製 ,  AlドープZnO