抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
スマートグリッドなど次世代電力送電網への応用が期待される双方向電力変換器の代表的候補として,高周波変圧器を用いた大電力双方向絶縁形DC-DCコンバータの研究が活発化している。本論では,本コンバータのインダクタと高周波変圧器の小型化を目的とした動作法について検討した。インダクタの小型化のためには,定格動作時における変換器の位相差δを従来の値より小さくすることが有効であることを明らかにした。位相差δが小さな領域では,変換器のデッドタイムによる制約が生じてくるが,デッドタイムを短く設定できるSiC-MOSFETを利用すると,一般的な位相差よりも小さな領域で定格運転が可能となり,従来方式と比較してインダクタ体積を1/5にできることを実験により示した。また,高周波変圧器の磁束密度を考慮した高速電力伝送方向切替法を提案し,スイッチング周期の半分以下である約20μsで5200Wの電力伝送方向切替が可能であることを確認し,本手法の有効性を実証した。