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J-GLOBAL ID：201502264110200478   整理番号：15A0706450

GaN(0001)上のグラフェン単層

Graphene monolayers on GaN(0001)

著者 (5件)： ESPITIA-RICO Miguel (Dept. of Physics, Grupo GEFEM, Universidad Distrital Francisco Jose de Caldas, Bogota, Colombia) ,  ESPITIA-RICO Miguel (Dept. of Physics, GEMA Grupo de Estudio de Materiales, Universidad Nacional de Colombia, Bogota, Colombia) ,  RODRIGUEZ-MARTINEZ Jairo Arbey (Dept. of Physics, GEMA Grupo de Estudio de Materiales, Universidad Nacional de Colombia, Bogota, Colombia) ,  MORENO-ARMENTA Maria G. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Km 107 carretera Tijuana-Ensenada ...) ,  TAKEUCHI Noboru (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Km 107 carretera Tijuana-Ensenada ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 326  ページ： 7-11  発行年： 2015年01月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN(0001)表面におけるグラフェンのエピタキシャル成長を第一原理全エネルギー計算により調べた。欠陥のないグラフェンがどのように基板上で成長するかを理解することを目指した。最も安定な構造はそれぞれN及びGaリッチ条件下で成長した4×4(0001)GaN/3√3×3√3グラフェン及び2√3×2√3(0001)GaNのNorthrupバイレーヤ/√21×√21グラフェンであった。これらの構造ではグラフェンは完全なC-C結合をもつ六角形ハニカム構造を維持した。グラフェン層に対するπネットワークの保持はDiracコーンの存在により証明された。N及びGaリッチ構造両者に対するバンド構造は金属的特性を示し,Gaリッチ構造は僅かに強い磁性であった。このことは,GaN(0001)はグラフェン層を担持するための優れた基板であることを示している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  *グラフェン ,  ハニカム構造 ,  *エピタクシー ,  *電子状態 ,  Dirac方程式 ,  *界面 ,  C-C結合 ,  全エネルギー ,  密度汎関数法 ,  表面構造 ,  Brillouin帯 ,  *第一原理 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *Diracコーン ,  二層グラフェン ,  単層グラフェン ,  電子バンド構造

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  グラフェン ,  単層