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J-GLOBAL ID:201502264166626753   整理番号:15A0269162

SrTiO3薄膜の電気的性質に対するAl2O3の影響: Al2O3添加SrTiO3とSrTiO3/Al2O3/SrTiO3構造の比較

Effect of Al2O3 insertion on the electrical properties of SrTiO3 thin films: A comparison between Al2O3-doped SrTiO3 and SrTiO3/Al2O3/SrTiO3 sandwich structure
著者 (5件):
資料名:
巻: 64  ページ: 1-5  発行年: 2015年04月 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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一般的に誘電率が高いSrTiO3膜が,結晶粒界と狭いバンドギャップがもたらす高い漏れ電流問題に悩まされていることから,SrTiO3膜の電気的性質に対するAl2O3挿入の影響を,金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタで体系的に調査した。効果的なAl2O3の挿入方法を見つけるために,Al2O3を,二つの方法でSrTiO3薄膜に挿入した。第一の方法はSrTiO3薄膜へのAl2O3の添加,第二の方法は,SrTiO3薄膜間に厚みがナノメータのAl2O3層をサンドイッチする方法である。漏れ遮断特性に関して,SrTiO3膜を添加によって非晶質にした時,Al2O3を添加したSrTiO3膜の漏れ電流は効果的に減少した。SrTiO3/Al2O3/SrTiO3構造の場合,1.19nm以上の厚みのAl2O3がSrTiO3の非晶質化なしに漏れ電流遮断層の役割を果たした。さらに,構造劣化がもたらしたAl2O3を添加したSrTiO3膜の誘電性の劣化は,SrTiO3/Al2O3/SrTiO3構造の膜よりも激しかった。その結果,Al2O3を添加したSrTiO3に比べ,より小さい漏れ電流密度が10-7A/cm2のSrTiO3/Al2O3/SrTiO3構造の膜で,二倍以上高い値(~45)の誘電率を得た。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
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強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  分子構造と性質の実験的研究  ,  静電機器  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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