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J-GLOBAL ID：201502264504058618   整理番号：15A0549181

タングステンをカーボンシンクに用いた二層/多層のグラフェンの無い均一な大きなドメインの単層合成

Application of tungsten as a carbon sink for synthesis of large-domain uniform monolayer graphene free of bilayers/multilayers

著者 (10件)： FANG Wenjing (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sciences, Cambridge, Massachusetts 02139, USA. [e-mail]) ,  HSU Allen ,  SHIN Yong Cheol ,  LIAO Albert ,  HUANG Shengxi ,  SONG Yi ,  LING Xi ,  DRESSELHAUS Mildred S. ,  PALACIOS Tomas ,  KONG Jing
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 11  ページ： 4929-4934  発行年： 2015年03月21日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は銅容器中でタングステン箔をカーボン拡散の制御に使用して大きなドメインの二層,多層の無い単層グラフェンをCVD法で合成出来ることを発見した。我々は単層グラフェンの下に有る二層,多層グラフェンが核形成をし,銅容器中に於かれたタングステン箔により選択的に除去されるのを発見した。X線光電子分光法とX線回折からタングステンサブカーバイド(W₂C)が形成されており,容器内でタングステン箔がカーボン濃度を変えるシンクの役割を果たしていることを暗示している。結果として二層,多層は溶解してしまう。この選択的な除去プロセスを用いて,我々は銅の二重容器を使用して二層,多層が無い200μ以上という大きなドメーンの単層グラフェンを作製出来た。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *グラフェン ,  *化学蒸着 ,  *タングステン ,  *金属箔 ,  炭素 ,  拡散律速 ,  X線光電子スペクトル ,  X線回折 ,  炭化物 ,  タングステン化合物 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： *単層グラフェン ,  拡散制御

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： タングステン ,  カーボン ,  シンク ,  二層 ,  多層 ,  グラフェン ,  ドメイン ,  単層