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J-GLOBAL ID：201502264619374327   整理番号：15A0407386

グラフェンフレークの電気二重層静電容量の周波数依存性のべき乗則

Power law for frequency-dependence of double layer capacitance of graphene flakes

著者 (6件)： WANG Hongxin (Dep. of Applied Physics, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-0017, JPN) ,  AOKI Koichi Jeremiah (Dep. of Applied Physics, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-0017, JPN) ,  CHEN Jingyuan (Dep. of Applied Physics, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-0017, JPN) ,  NISHIUMI Toyohiko (Dep. of Applied Physics, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-0017, JPN) ,  ZENG Xiangdong (Dep. of Applied Physics, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-0017, JPN) ,  MA Xiuyuan (Dep. of Applied Physics, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-0017, JPN)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 741  ページ： 114-119  発行年： 2015年03月15日 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分極電位での水溶液中のグラフェン(GN)フレークの重量あたりの電気二重層静電容量は交流周波数の減少とともに増加し,周波数のべき乗則の逆数に従った。べき乗則は一定相素子と同等であることが実証された。周波数依存性はGN膜の厚みとともに増加した。従って,より低い周波数とより薄い膜であればあるほど,重量当たりの静電容量密度はそれだけ大きかった。これは,幾つかの厚みのGN膜と幾つかの走査速度についてのサイクリックボルタンメトリーにより確認された。厚膜での抵抗様ボルタモグラムは周波数分散によって引き起こされた。GN膜の全体的な静電容量特性は以下の通りであった:1個のGNフレークの厚みはHOPGでの静電容量の厚みの比較から平均で約2nmであると推定され,それはSTMとAFM像による値と一致した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： グラフェン ,  *ナノ構造 ,  *フレーク ,  *電気二重層 ,  *静電容量 ,  周波数依存性 ,  密度 ,  高配向性熱分解グラファイト ,  電極過程 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電気化学インピーダンス ,  Nyquist線図 ,  電流電圧特性 ,  交流インピーダンス
準シソーラス用語： *ナノフレーク

分類 (1件)： 電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気二重層 ,  静電容量 ,  周波数依存性 ,  べき乗則