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J-GLOBAL ID：201502265073371301   整理番号：15A0229333

酸化グラフェンと有機絶縁体を持つ薄膜トランジスタの電気特性

The electrical characteristics of thin film transistors with graphene oxide and organic insulators

著者 (5件)： KARTERI I. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kahramanmaras Sutcu Imam Univ., Kahramanmaras 4610, TUR) ,  KARATAS S. (Dep. of Physics, Kahramanmaras Sutcu Imam Univ., Kahramanmaras 4610, TUR) ,  AL-GHAMDI Ahmed A. (Dep. of Physics, Fac. of Sci., King Abdulaziz Univ., Jeddah 21589, Saudi Arabia) ,  YAKUPHANOGLU F. (Dep. of Physics, Fac. of Sci., King Abdulaziz Univ., Jeddah 21589, Saudi Arabia) ,  YAKUPHANOGLU F. (Dep. of Physics, Firat Univ., Elazig 2310, TUR)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 199  ページ： 241-245  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,ナノグラフェン酸化物(n-GO)薄膜トランジスタと有機絶縁体としてポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)とポリ-4-ビニルフェノール(PVP)を持つn-GO有機薄膜トランジスタの電気特性を研究した。GOを調製するための代替方法のうちの1つは,改良型Hummers方法により黒鉛を酸化することで達成される。この研究において,GOを改良型Hummers方法によって合成した。PMMAとPVPを持つグラフェン酸化物薄膜は,GO/SiO₂誘電体二層に前駆体溶液をスピンコーティングすることにより調製した。グラフェン酸化物薄膜トランジスタが,0.375cm²/v.s.の高い移動性を示すことがわかった。これは,PMMAとPVPを持つn-GO系薄膜トランジスタよりも高移動性のn-GO薄膜トランジスタを製作するために,n-GOフィルムがより重要な効果を持つことを示す。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *酸化物 ,  *炭素材 ,  ナノ構造 ,  高分子膜 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ポリビニルフェノール ,  性質 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  赤外吸収スペクトル
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  *グラフェン酸化物 ,  移動性 ,  FTIRスペクトル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化グラフェン ,  絶縁体 ,  薄膜トランジスタ ,  電気特性