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J-GLOBAL ID:201502265121630489   整理番号:15A0662713

界面反応過程を経て,欠陥に完全な関係をした放射を有する高い発光性のCdS量子ドット

Highly Luminescent CdS Quantum Dots with Complete Defect-Related Emissions via an Interface Reaction Process
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 1065-1070  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: W2374A  ISSN: 1947-2935  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CdSはII-VI半導体の中では重要な化合物であるが,量子ドット(QD)の核形成と成長については高温で行う報告がでているのに対して,欠陥に完全な関係をした放射をするCdS QDの報告は僅かである。本稿では,2相界面反応過程を経て,欠陥に完全な関係をした高度な発光CdS QDを成功裡に調製した。製品は効率的な青から赤放射を示し,その量子効率は65%にも達した。この結果は,ベシクル構造の構成,気体/液体2相界面反応及び低温湿式化学過程が「ベシクル反応モデル」3つの重要要素であることを示唆した。リッチな表面状態の他の硫化物QDを調製し,その結果として一層効率的な欠陥関連の放射を実現するのに,このモデルを採用することができるであろう。
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分類 (1件):
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発光素子 

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