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J-GLOBAL ID：201502265125758528   整理番号：15A0759381

Mn添加GeTe相変化材料の厚み依存性と磁化挙動

Thickness dependence and magnetization behavior of Mn-doped GeTe phase change materials

著者 (7件)： ADAM Adam Abdalla Elbashir (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., School of Optical and Electronic Information, 430074, Wuhan, CHN) ,  ADAM Adam Abdalla Elbashir (Wuhan National Lab. for Optoelectronics, 430074, Wuhan, CHN) ,  ADAM Adam Abdalla Elbashir (Alneelain Univ., Fac. of Sci. and Technol., 11121, Khartoum, Sudan) ,  CHENG Xiaomin (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., School of Optical and Electronic Information, 430074, Wuhan, CHN) ,  CHENG Xiaomin (Wuhan National Lab. for Optoelectronics, 430074, Wuhan, CHN) ,  MIAO Xiangshui (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., School of Optical and Electronic Information, 430074, Wuhan, CHN) ,  MIAO Xiangshui (Wuhan National Lab. for Optoelectronics, 430074, Wuhan, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 7  ページ： 5202-5208  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mn添加GeTe相変化磁性薄膜の微細構造,磁気及び電気特性の厚み依存性を検討した。X線回折法は堆積膜は非晶質であり,焼鈍した膜は多結晶であること,結晶構造調査は厚みを増すと結晶の主方位が強化されることを示した。厚みの関数として薄膜の格子パラメータを計算した。膜厚に伴って粒径は増大し,半値幅,面距離及び格子歪は低減した。全ての膜の磁化は最も低い温度で最大になることを示した。磁場冷却解析結果は,60,120及び200nmの膜はT_c=48,97及び110Kで強磁性秩序を有することを示した。膜厚を60から200nmにすると抵抗率は12.6から0.863mΩcmに低減した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マンガン ,  *添加物効果 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  相転移 ,  *磁性薄膜 ,  微細構造 ,  磁気的性質 ,  電気特性 ,  *依存性 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  焼なまし ,  格子定数 ,  粒径 ,  格子歪 ,  半値幅 ,  距離 ,  冷却 ,  磁気秩序 ,  電気抵抗率 ,  *磁化
準シソーラス用語： *テルル化ゲルマニウム ,  強磁性秩序 ,  磁場冷却 ,  相変化 ,  *膜厚依存性

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mn ,  GeTe ,  相変化材料 ,  厚み依存性 ,  磁化 ,  挙動