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J-GLOBAL ID：201502265979298342   整理番号：15A0727643

相変化メモリに対して安定なGe₂Sb₂Te₅の{103}面がいかに重要か?

How important is the {103} plane of stable Ge₂Sb₂Te₅ for phase-change memory?

著者 (8件)： ZHANG W. ,  ZHENG W.T. (Dep. of Materials Sci., and Key Lab. of Mobile Materials MOE, and State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ. ...) ,  KIM J.-G. (Korea Basic Sci. Inst., Daejeon, KOR) ,  CUI X.Q. (Dep. of Materials Sci., and Key Lab. of Mobile Materials MOE, and State Key Lab. of Superhard Materials, Jilin Univ. ...) ,  LI L. (School of Electronic and Information Engineering, Changchun Univ., Changchun, CHN) ,  QI J.G. (School of Material Sci. & Engineering, Liaoning Univ. of Technol., Jinzhou, CHN) ,  KIM Y.-J. (Korea Basic Sci. Inst., Daejeon, KOR) ,  SONG S.A.
資料名： Journal of Microscopy  (Journal of Microscopy)
巻： 259  号： 1  ページ： 10-15  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： B0454B  ISSN： 0022-2720  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶相の{200}面と密接に関係しているGe₂Sb₂Te₅の六方晶相の{103}面は,Ge₂Sb₂Te₅の変調構造,転位および双晶と同様に高速の相変化プロセスを実現するために欠くことができない役割を演じる。六方晶相{103}面の挙動は,ナノスケール形状記憶としての相変化メモリプロセスを可能にする。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *テルル化物 ,  *アンチモン化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *結晶面 ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  変調構造 ,  転位【結晶】 ,  双晶 ,  相転移 ,  規模 ,  形状記憶効果 ,  X線回折 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *相変化メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (1件)： 相変化メモリ