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J-GLOBAL ID：201502266080138368   整理番号：15A0432970

エピタキシャル半導体-超伝導体ナノワイヤのハードギャップ

Hard gap in epitaxial semiconductor-superconductor nanowires

著者 (8件)： CHANG W. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  CHANG W. (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  ALBRECHT S.M. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  JESPERSEN T.S. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  KUEMMETH F. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  KROGSTRUP P. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  NYGARD J. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  MARCUS C.M. (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 10  号： 3  ページ： 232-236  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導体の興味ある応用の一つは,量子情報処理の基礎としてのトポロジカル超伝導の実現である。この点で半導体ナノワイヤの近接効果に基づく提案は魅力的である。近接した半導体は超伝導ギャップ以下に著しいトンネリングコンダクタンスを見せ,これは連続サブギャップ状態を示唆し,トポロジカル保護が難しくなる状況である。ここでは,エピタキシャルInAs-Al半導体-超伝導体ナノワイヤを使って,半導体の近接効果から生じるハードは超伝導ギャップを観測した。このハードギャップは,これら材料の有利な特性とゲート調整可能のため,このハイブリッド材料系はメソスコピック超伝導の基礎研究と共に応用に魅力的な系となる。

シソーラス用語： MBE成長 ,  化合物半導体 ,  超伝導体 ,  *ヒ化インジウム ,  *アルミニウム ,  ナノワイヤ ,  *超伝導接合 ,  エネルギーギャップ ,  近接効果 ,  超伝導 ,  点接触 ,  量子ドット ,  *コンダクタンス
準シソーラス用語： *超伝導ギャップ ,  トポロジカル超伝導 ,  量子点接触

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  ナノワイヤ ,  ギャップ