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J-GLOBAL ID:201502266648844114   整理番号:15A0440647

CdS/CdTe超薄膜太陽電池における劣化/回復現象のモデリング

Modelling of degradation/recovery phenomena in CdS/CdTe ultrathin film solar cells
著者 (1件):
資料名:
巻: 119  号:ページ: 275-284  発行年: 2015年04月 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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CdS/CdTeをベースにした超薄膜太陽電池における劣化/回復現象を空乏領域での発生と再結合に対するSah-Noyce-Shockley理論を用いて理論的に解析した。この理論はキャリア発生と収集が再結合機構として重要である前面及び背面接触の両方での空乏領域の重なりを説明できる。非補償欠陥密度,キャリア再結合寿命,界面でのバンド湾曲のような物理的パラメータの値がCdTe層の厚さがサブミクロンまで低下した時に決定的に重要となる。ロールオーバー,材料相互/外方拡散,複雑な欠陥形成,移動性イオンの役割を考慮して超薄膜CdTe太陽電池の劣化/回復現象の物理への洞察を求めた。両方の機構をエネルギーバンドダイヤグラムとこの場合はグレイン内部である移動性イオン輸送経路の図式を引きつつ精密に解析した。このことは完全にパシベートされていると仮定された結晶粒界を通しての金属拡散を無視することを意味している。この仮定は境界を通してではなく内部でのキャリア輸送における欠陥の役割の研究を可能にする。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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太陽電池  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

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